n沟道增强型MOS管是一种常用的场效应管之一，它的工作原理基于电场控制源漏电流的特性。

n沟道增强型MOS管由源极、漏极和栅极三个电极组成。栅极与源极之间的区域被称为沟道，沟道中填充有n型掺杂材料，因此称为n沟道。当栅极的电场作用下，沟道中的电子会向源极和漏极流动，形成源漏电流。

在正常工作状态下，栅极与源极之间的电势差为零，此时沟道中没有电子流动，MOS管处于封闭状态。当栅极加上正电压时，栅极与沟道之间形成电场，沟道中的电子受到电场作用向源极和漏极流动，形成源漏电流，MOS管处于导通状态。反之，当栅极加上负电压时，栅极与沟道之间的电场会变弱，沟道中的电子流动减缓，源漏电流变小，MOS管处于截止状态。

与其他场效应管相比，n沟道增强型MOS管具有低功耗、高输入阻抗、可靠性好等优点，广泛应用于电子器件中。